有消息称，三星电子将于今年年底开始其第6代高带宽存储器HBM4的流片工作，这是为明年年底12层HBM4产品量产所做的前期工作。
流片是半导体设计的最后一步，这意味着将设计图纸交付给半导体代工厂。因为还制作了光掩模，所以它们也被称为掩模流片（MTO）。
HBM4测试产品预计最早于明年初上市，最终的测试产品在流片后需要3~4个月的时间能出来。据悉，三星电子将在验证首次生产的HBM4产品的运行情况后，进行设计改进和工艺改进。之后，预计将对主要客户进行产品抽检。三星电子的一位官员称很难回答有关产品路线图和相关时间表的问题。
SK海力士也计划在明年下半年实现12层HBM4产品的量产。
两家公司都从HBM4开始，将使用代工工艺而不是DRAM工艺来生产逻辑芯片。据报道，二星电子计划使用其4nm代工工艺大规模生产逻辑芯片，而SK海力士计划使用台积电的5nm和12nm工艺大规模生产逻辑芯片。
在内存核心芯片方面，三星电子已确认将使用第六代10nm（1c）DRAM，但SK海力士的工艺介于第五代10nm（1b）DRAM和1c DRAM之间。SK海力士负责HBM开发的一位主要员工解释说：在内部，我们决定使用1b DRAM作为HBM4的核心芯片，并补充说，在听说三星电子正在为HBM4使用1c DRAM后，我们正在考虑是否在内部使用1b DRAM或1c DRAM。
