三星启动首批第九代V-NAND闪存量产

　　今日三星半导体宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，比三星上一代产品提高约50%的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

　　第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。

　　第九代 V-NAND 配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。