碳化硅引领功率器件革新,澜芯半导体扬帆起航

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2024-05-29 10:01
科技在线
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  在新能源、光伏和储能等关键领域中,碳化硅(SiC)凭借其高硬度、高耐磨的特性,成为了高性能材料的佼佼者。特别是在半导体领域,碳化硅以其卓越的性能和潜力,引领着功率器件的技术进步,成为推动行业技术革新的重要力量。而在这个风起云涌的行业中,上海澜芯半导体有限公司(简称:澜芯)以其独到的眼光和深厚的实力,正扬帆起航,引领碳化硅功率器件的发展潮流。

  澜芯半导体的创始人马彪,是一位在功率半导体器件开发领域有着丰富经验的资深从业者。他凭借对行业的深刻理解和敏锐的市场洞察力,于2022年创立了上海澜芯半导体有限公司,专注于碳化硅功率器件的开发与设计。在马彪的带领下,澜芯的技术团队不断突破创新,开发出多款领先的碳化硅器件,广泛应用于新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域,为行业的发展注入了强劲的动力。

  自2023年初正式运营以来,澜芯半导体便展现出了惊人的发展速度。短短8个月的时间,公司便完成了首颗1200V80mΩ SiC MOSFET从设计到验证的全流程,并实现了小批量销售。这一成就不仅彰显了澜芯在碳化硅功率器件领域的强大实力,也为其后续的发展奠定了坚实的基础。

  与此同时,澜芯还在持续推进产品的研发和创新。同平台的1200V40mΩ MOSFET已开发完成,正在进行产品认证。而第二代平台产品——1200V12mΩ SiC MOSFET,更是突破了国产芯片12mΩ的极限,其比导通电阻低于3.2mΩ.cm²,为汽车主驱功率模块提供了有力支持。第二代平台的1200V30mΩ和1200V60mΩ产品将完成设计,届时澜芯将拥有更加完善的产品线,满足不同客户的需求。

  然而,澜芯并没有止步于此。他们已经启动了第三代平台的研发工作,目标是将比导通电阻降至2.7mΩ.cm²,达到全球平面型碳化硅的顶尖水平。这一目标的实现,将进一步提升澜芯在碳化硅功率器件领域的竞争力,推动行业的持续进步。预计2024年下半年,第三代首颗产品将问世,届时澜芯将再次引领碳化硅功率器件的发展潮流。

  作为一家专注于碳化硅功率器件开发与设计的企业,澜芯半导体在行业中树立了良好的口碑。他们凭借深厚的技术实力和前瞻的产品布局,赢得了众多客户的信赖和支持。同时,澜芯还积极与上下游企业建立紧密的合作关系,构建了一个完善的供应链体系。这一体系不仅保证了产品的质量和供应的稳定性,也为澜芯的持续发展提供了有力的支持。

  展望未来,随着国产碳化硅产品以及其他功率器件的逐步推广,上海澜芯半导体有限公司将发挥其在碳化硅功率器件领域的领先优势,为中国新能源行业的发展注入新的活力。他们将继续致力于碳化硅功率器件的研发和创新,不断提升产品的性能和质量,推动行业的持续进步。同时,他们也将积极拓展国内外市场,与更多的合作伙伴携手共进,共同开创美好的未来。

  在碳化硅引领功率器件革新的时代浪潮中,上海澜芯半导体有限公司正扬帆起航,驶向更加广阔的未来。他们将以卓越的技术实力和前瞻的产品布局,引领碳化硅功率器件的发展潮流,为中国新能源行业的发展贡献自己的力量。


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