韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。
三星电子目前尚未官宣 1c nm（IT之家注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报道指出三星电子的 1c nm 目前处于试产状态，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂。
业内人士表示，三星电子 1c nm 量产投资的初期规模不会很大，这是因为尚需时日来实现这一新制程 DRAM 良率的稳定，待工艺成熟后三星才会进行额外的投资。
此前有消息称三星电子已确认将在下代 HBM4 中应用 1c nm DRAM，可以说 1c nm 的表现很大程度上决定了三星能否在竞争激烈的 HBM 内存市场赶上甚至超越目前的领先者 SK 海力士。
