近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法专利公布，申请公布号为CN116960057A。
摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域。该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。
