新华网北京12月3日电（记者张漫子）国家新能源汽车技术创新中心与北京开源芯片研究院、中科海芯近日在京成立RISC-V车规级芯片技术联合实验室，将围绕国产车企芯片需求提升国产车规级芯片的研发效率、“上车”能力，为提升国产汽车芯片自给率按下“加速键”。
我国是汽车制造大国，汽车产量蝉联全球第一，对汽车芯片需求旺盛，国产新能源车尤其是芯片“大户”。与消费级芯片不同，车规级芯片对可靠性、一致性、稳定性要求更高，需面对更为严苛的环境。如需适应-40℃到-150℃的极端温度、承受高振动、多粉尘、电磁干扰、适应0%-100%的湿度区间等，设计寿命一般应达15年或20万公里以上，这对芯片质量提出更高要求。
北京开源芯片研究院首席科学家包云岗告诉记者，“全球芯片领域，ARM架构长期占据主导地位。在车规级芯片领域，我国和国外还有很大差距，目前绝大多数国产汽车的CPU核仍需依赖国外授权，面临供应链风险。自主可控的国产车规级芯片从研发、生产，再到验证、上车，亟待提速。”
“RISC-V架构作为中国芯片自主可控的一块‘敲门砖’，有望为提升国产汽车芯片自给率提供更多可能。”国家新能源汽车技术创新中心主任原诚寅说，在这一背景下，联合实验室应运而生。
根据计划，RISC-V车规级芯片技术联合实验室将发挥平台与资源优势，由北京开源芯片研究院提供有竞争力、高可靠性、自主可控的国产车规级IP核，由中科海芯负责将其做成产品，由国创中心推进从芯片设计、开发到形成产品，再到验证、上车的规范化流程及相应工具，共同提升车规级芯片的开发效率，为实现中国汽车芯片产业链、供应链自主可控不断探索。
